电子从物体逸入周围媒质(真空或气体)的现象。物体中的电子在常态下所具有的能量都不足以克服表面势垒而逸出物体。要使它们从物体里释放出来，必须另外给予它们能量，称为激发。电子发射依激发的方式不同分为热电子发射、光电子发射和次级电子发射。受强电场作用产生的发射称为场致电子发射。此外还有等离子体场致发射或爆发式发射、离子电子发射、过热电子发射、自释电子发射等。

式中A、B是两个常数，与金属的逸出功有关。这一公式称作福勒－诺德罕发射方程。发射方程说明，场致发射的电流密度是金属表面上的电场强度和金属的逸出功的函数。对于一定的金属来说,电子逸出功是一个常数,所以Jf是E的函数。

内场致电子发射在物质内部产生场强使电子从一种物质逸入另一种物质或逸入真空的发射形式。内场致发射又可细分为介质薄膜发射、肖特基势垒发射、反向偏压PN结发射和负电子亲合势发射等。前三种发射都是靠内部的过热电子,其能量足以克服表面势垒而逸出,所以这种发射形式又称作过热电子发射。若表面势垒降低到低于导带底（成为负值），热电子就很易逸出，这种情况称为负电子亲和势发射。

自释电子发射物体表面受到机械作用、气体放电作用、紫外光或 X射线照射后发射电子的现象。自释电子发射的电流很小，不能用作电子源，但在其他方面有很多用途。例如，①自释电子发射与晶体中存在缺陷密切相关，可用以研究半导体材料。②自释电子发射与磷光物质发光存在相似关系，可用以研究发光现象。③自释电子发射与表面状态有密切关系，可用以研究固体表面、化学吸附和催化作用等。

各种实用发射体，如金属热阴极、氧化物阴极、钡钨阴极、光电阴极、次级发射体、场致发射体等均属于真空电子器件阴极。